IL FOTOTRANSISTOR RICEVENTE
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Come avrete certamente notato, anche se all'interno e' presente un
fototransistor ricevente, la sua Base non viene mai utilizzata.
In pratica la Base si potrebbe collegare a massa con una resistenza di
10 - 20 megaohm, ma poiche' con o senza resistenza la sensibilita' e
le caratteristiche di funzionamento non subiscono alcuna variazione,
si preferisce lasciarla "aperta".
Per pilotare integrati TTL o C/Mos, e' sempre consigliabile applicare
sull'uscita del fototransistor una porta INVERTER Trigger di Schmitt,
quale ad esempio una 74LS14, per ottenere sulla sua uscita dei livelli
logoci ben definiti e perfettamente squadrati.
In fig.8 e' rappresentato uno schema che collega l'ingresso
dell'inverter TTL o C/Mos direttamente al Collettore del
fototransistor.

La resistenza da 10.000 ohm, inserita fra il Collettore del
fototransistor ed il positivo di alimentazione, serve per fornire
tensione al Collettore.
Il valore di questa resistenza, pur non essendo critico, influenzera'
la velocita' di commutazione del fototransistor, specialmente se in
uscita risulta collegato un integrato TTL.
In pratica poiche' questi circuiti lavorano sempre con segnali
relativamente "lenti" (solitamente nell'ordine dei 15.000 - 20.000
Hz), si potra' scegliere un valore "standard" di 10.000 ohm.
Volendo renderlo piu' veloce potremo ridurre il valore di tale
resistenza a circa 1.000 ohm per i TTL ed a 3.300 ohm peri C/Mos.
Si precisa che non e' possibile lavorare su frequenze maggiori di 50
Kilohertz, perche' sia il diodo emittente sia il transistor ricevente
risultano oltre questo limite decisamente critici da utilizzare.
Un'altra variante che si puo' utilizzare per trasferire dei segnali
"digitali", consiste nel collegare l'ingresso della porta trigger
all'Emettitore, come visibile in fig.9.