Lega.

La lega e' un composto formato da piu' materiali diversi fra loro.In elet-
tronica il processo tecnologico di lega e' molto usato nella creazione delle
giunzioni PN in quanto consente di ottenere,mediante un drogante metallico,
deposto sul semiconduttore,un drogaggio di lega e quindi la giunzione stessa.

Costante di tempo.

E' il tempo necessario affinche' una grandezza passi,durante un transitorio
,dal suo valore iniziale al 63,3% del valore finale o dal suo valore massimo
al 36,7% di questo.In un circuito RC e' il prodotto tra la resistenza in ohm
e la capacita' in farad,espresso in secondi.

Carica Maggioritaria.

In materiali semiconduttori drogati e' il portatore di carica (elettrone o
lacuna) che caratterizzza il tipo di drogaggio del pezzo (N o P),cioe' 
e' quello che rappresenta piu' della meta' del numero totale di portatori.
Nel caso di semiconduttore di tipo N e' l'elettrone mobile,nel caso di 
materiale di tipo P e' rappresentato dalla lacuna.

Giunzione.

Quando due tpi di materiale SEMICONDUTTORE (N o P) vengono uniti tra loro
si crea la cosiddetta GIUNZIONE.,dando luogo ad un importantissimo fenome-
no che si sviluppa in corrispondenza della superficie di contatto tra i due
diversi materiali.Questo fenomeno e' dovuto all'interazione tra l'eccesso
di LACUNE presenti nel pezzo drogato positivamente e l'eccesso di ELETTRONI
presenti in quello drogato negativamente.Alcuni degli elettroni liberi
diffondono attraverso la giunzione ricombinandosi con le lacune della strut-
tura cristallina del pezzo P,analogamente alcune delle lacune diffondono
e si ricombinano con gli elettroni del materiale N; cio' crea attorno alla
giunzione una ZONA DI SVUOTAMENTO o di transizione.
L'energia termica contribuisce a questo flusso di portatori di carica che
viene detto CORRENTE DI DIFFUSIONE.Il risultato del processo suddetto e' la
nascita di un gradiente di potenziale a cavallo della zona di transizione,
tale gradiente puo' essere rappresentato come una batteria immaginaria 
collegata ai capi della zona di transizione.Il gradiente di tensione a sua 
volta causa una corrente di deriva il cui flusso e' opposto a a quello di
diffusione.All'equilibrio le due correnti si bilanciano cosicche' la corrente
totale attraverso la giunzione e' pari a zero (0).
In altri termini,se esternamente non vengono applicate ne' tensioni ne' cor-
renti,la giunzione PN mostra una barriera di potenziale,o energetica (cioe'
un gradiente di potenziale),che impedisce il flusso di corrente.La zona di
svuotamento puo' cosi venir considerata come uno strato isolante.Gli elet-
troni del materiale N che tendono a diffondere sono respinti dalla carica
negativa indotta nel materiale P dal gradiente di potenziale e lo stesso 
accade per le lacune che da P tendono a diffondere verso N.

Il diodo.

E' un dispositivo non lineare la cui caratteristica di uscita mostra una
marcata unidirezionalita'.E' costituito generalmente da una giunzione a
semiconduttore .In questo caso la giunzione PN corrisponde ad un componente
dotato di due elettrodi: un ANODO (connesso al materiale drogato P) ed un
CATODO (connesso al materiale drogato N).
L'anodo ,nel caso di conduzione e quindi di polarizzazione diretta del diodo
e' il terminale piu' positivo.Per tensioni minori del valore di conduzione 
il diodo non conduce,agendo cosi' da RADDRIZZATORE (da non confondere 
col VIAGRA).
Per un determinato valore di tensione negativa ,nel componente si verifica 
un fenomeno,detto EFFETTO VALANGA che producendo un forte passaggio di
corrente inversa lungo la giunzione ,per effetto termico,distrugge il diodo
stesso.

Il F.E.T.

Il nome deriva da FIELD EFFECT TRANSISTOR:transistore ad effetto di campo.
E' un transistore unipolare a tre termianali con resistenza di ingresso molto 
elevata (100Mohm).Viene pilotato in tensione e il suo flusso di corrente di
lavoro,che attraversa il canale semiconduttore,e' commutato e regolato 
dall'effetto di campo elettrico esercitato dalla carica elettrica in una 
regione (GATE) vicina al canale.Possiede delle caratteristiche di uscita
simili a quelle del pentodo.Il FET e' un dispositivo a giunzione in cui sono 
presenti due zone ugualmente drogate,con un'alta concentrazione di impuri-
ta',separate tra loro da un canale,o da una striscia,di semiconduttore
drogata in modo opposto.Alle due zone estreme del canale fanno capo i 
terminali di SOURCE e DRAIN,mentre le due zone drogate nello stesso modo
,che vengono collegate insieme forniscono il terminale di GATE.
Quando la polarizzazione e' tale che il gate risulta negativo rispetto al 
source (nel caso a canale N), le due giunzioni risultano sottoposte ad una
tensione negativa e nel circuito esterno vi e' una debole corrente (quella
inversa di saturazione).Al variare della tensione gate-source il canale 
agisce da resistenza variabile crescendo al diminuire della tensione stessa,
mentre al variare della tensione drain-source variano,deformandosi,le due
regioni di svuotamento.Al crescere di tale tensione le due zone di svuota-
mento tendono ad unirsi tra loro chiudendo il canale (condizione di PINCH-OFF
) e consentendo il passaggio della corrente di drain che puo' assumere 
valori sempre piu' alti al diminuire della tensione gate-source.
Il FET puo' venire connesso in tre modi diversi:
a source comune,a drain comune o a gate comune.

Effetto NERNST.

Effetto riscontrabile in una striscia di metallo riscaldata posta in un
campo magnetico ad essa perpendicolare: in queste condizioni si puo'
rilevare che,mantenendo un gradiente di temperatura ortogonale al 
campo magnetico,si ha lo sviluppo di una differenza di potenziale 
ortogonale sia al gradiente di temperatura sia al campo magnetico.

Teorema di GAUSS.

Teorema che consente di determinare la carica eletttrica presente su una
superficie.Stabilisce,infatti,che la somma delle componenti normali dello
spostamento elettrico su ogni superficie chiusa e' pari alla carica elettrica
della superficie stessa.

Magnetostrizione.

Deformazione che si verifica nei materiali magnetici sottoposti a CAMPO
MAGNETICO.Viene utilizzata in altoparlanti,microfoni,trasduttori elettro-
meccanici,filtri,rele',ecc..In un trasduttore,ad esempio,il materiale che
e' sottoposto a MAGNETOSTRIZIONE,e' collocato all'interno di una bobina
in cui circola corrente.
Al variare della corrente,varia il campo magnetico a cui il materiale e'
sottosposto con una conseguente deformazione di quest'ultimo che si traduce,
ad esempio,nel moto di una membrana.